Memoria EEPROM borrable UV M27C512-10F1, 512kbit, 64K x 8 bits, 100ns, CFDIP W 28 pines 4,5 → 5,5 V

Memoria EEPROM borrable UV M27C512-10F1, 512kbit, 64K x 8 bits, 100ns, CFDIP W 28 pines 4,5 → 5,5 V

Estos dispositivos incorporan una ventana de cuarzo, por lo que se puede borrar fácilmente el contenido de la memoria haciendo incidir sobre el chip una luz ultravioleta (UV) intensa de longitud de onda adecuada. El dispositivo puede reprogramarse a continuación utilizando un programador adecuado.

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Memoria EEPROM borrable UV M27C512-10F1, 512kbit, 64K x 8 bits, 100ns, CFDIP W 28 pines 4,5 → 5,5 V

Memoria EEPROM borrable UV M27C512-10F1, 512kbit, 64K x 8 bits, 100ns, CFDIP W 28 pines 4,5 → 5,5 V

Estos dispositivos incorporan una ventana de cuarzo, por lo que se puede borrar fácilmente el contenido de la memoria haciendo incidir sobre el chip una luz ultravioleta (UV) intensa de longitud de onda adecuada. El dispositivo puede reprogramarse a continuación utilizando un programador adecuado.

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Descripción

Especificaciones
AtributoValor
Tamaño de la Memoria 512kbit
Organización 64K x 8 bits
Tipo de Interfaz Paralelo
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo 100ns
Tensión de Programación 12.75V
Técnica de Reprogramación UV
Programabilidad en Sistema En el sistema, Externo
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Tipo de Encapsulado CFDIP W
Conteo de Pines 28
Dimensiones 37.34 x 13.36 x 4.5mm
Altura 4.5mm
Longitud 37.34mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento 5,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento +70 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Típica 5 V
Ancho 13.36mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima 4,5 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima 0 °C
Data sheet M27C512

Ficha técnica